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中芯集成電路制造(紹興)有限公司是中芯國(guó)際的合資公司。IGBT平臺(tái)從2015年開始建立,著眼于最新一代場(chǎng)截止型 (FIELD STOP)IGBT結(jié)構(gòu),采用業(yè)界最先進(jìn)及主流的背面加工工藝,包括TAIKO 背面減薄工藝、濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等。已完成整套深溝槽 (DEEP TRENCH)+薄片 (THIN WAFER)+場(chǎng)截止 (FIELD-STOP)技術(shù)工藝的自主研發(fā),并相應(yīng)推出600V~1200V 等器件工藝,技術(shù)參數(shù)可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。
MEMS,MOSFET,IGBT
中芯集成電路制造(紹興)有限公司DWWA、有機(jī)系廢水回收水處理系統(tǒng)
1. DIW消耗量:20m3/H
2. ROW消耗量:50m3/H
3. UPW消耗量:200m3/H
4. LSW消耗量:80m3/H
● UPW電阻率 ≥18.2MΩ.CM@25℃
● 溫度:23±1℃
● 壓力 4-5MPA
● 8INCH SPEC.IN